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Elhadj
DOGHECHE

  • Bâtiment Watteau
    Bureau 213T
  • +33 3 27 51 1268

Développement de Matériaux Piézoélectriques pour les applications de récupération d'énergie:  Films Minces par Pulvérisation Cathodique et de Nanostructures telles les nanofils, nanotubes de ZnO par voie hydrothermale 

Fonctions actuelles

    Dans le groupe de recherche

  • 01/09/2020 :

    Responsable des Activités Matériaux Ferroélectriques pour des Applications Energie & Photonique

    • Au sein de l'université

  • Chargé de Mission Recherche Transfert Développement IUT Direction Valenciennes
    Directeur des Etudes Formation Continue Dépt Génie Mécanique et Productique IUT Valenciennes
    Membre élu au Conseil Scientifique de l’Université de Valenciennes.
    Membre élu du Comité de Sélection (CoS) UVHC (Titulaire)
    Membre du groupe de travail ‘Mission Modulation’ de l’UVHC

Diplômes universitaires

  • 2002 :

    Université de Valenciennes et du Hainaut -Cambrèsis - Habilitation à Diriger les Recherches (HDR)

  • 1993 :

    Université de Lille 1 - Thèse de Doctorat 3e cycle Specialité Microondes & Semiconducteurs

  • 1990 :
    Université de Lille 1    Diplôme d'Etudes Approfondies (DEA) Option Hyperfréquences et Microélectronique

Expériences professionnelles

  • 1993 à 2023 :
    Habilitation Electrique, Electronique, Electrotechnique, Capteurs Instrumentation

Valorisations industrielles

    Brevets

  • Brevet Européen n°2205, Modulateur de porteuse optique par plasmon de surface à base de matériaux semi-conducteurs (IEMN Lille, Univ Pierre et Marie Curie, Thalès Research Technology et Thalès Systèmes Embarqués).
    Brevet P2237, Balayage électronique formé d'un réseau de nano-éléments rayonnants en deux dimensions  (IEMN Lille, Univ Pierre et Marie Curie, Thalès Systèmes Embarqués)

Organisation de conférences, expositions...

  • - Rapporteur et Membre du Comité de Lecture dans les revues Applied Physic Letters, J.Applied Physic, Applied Optics, Nanoletters, J. Physic D, Thin Solid Films
    - Coordinateur de 3 Projets Hubert Curien (PHC Star n°21455QB Franco-Coréen, 2 PHC Merlion n°8.03.08 Franco-Singapourien)
    - Membre actif dans la mise en place de l’UMI CNRS Cintra entre NTU, Thalès et le CNRS.
    - Expert Projets Recherche pour l’Agence ASTAR Singapour
    - Expert pour SART (Sté Antenne Radio et Télécommunications) sur les Nanotechnologies à Singapour (2008)
    - Expert auprès du Centre Régionale d'Etude de Microélectronique sur Silicium (2005/08) Région PACA
    - Expert pour la revue La Recherche pour l’attribution du prix annuel (2005-2007).
    - Rédacteur principal du Contrat d’Objectif et de Moyen (COM) en 2009-2010 à l’IUT & l’UVHC- Partie Recherche Transfert
    - Membre du groupe de travail Technologies Photoniques Avancés (2010) auprès du CNRS/INSIS
    - Membre du Comité de Pilotage du Réseau Thématique franco-algérien Micro-NanoTechnologie Photonique
    - Membre fondateur de la société savante algérienne photonique (SOAP)
    - Expert Programmes Nationaux de Recherche (PNR) pour la Direction Générale de la Recherche et Sciences Technologies – Algérie
    - Nombreuses fois ‘Chairman ‘ (Conférences ICMAT 2007-2009 Singapour, AIT Nano 2009 Delhi,…).
    - Co-organisateur des Journées Couches Minces Ferroelectriques (JCF 2000 Maubeuge)

Enseignements actuels

  • IUT-GMP          :      Electrotechnique, Electronique de puissance, Automatique, Capteurs
    IUT-LPCMAO :      Conception & Motorisation
    IUT LP DIPLAST:   Sureté Industrielle, Habilitation Electrique

Responsabilités pédagogiques

  • 1993-1999      :      Responsable Communication IUT Valenciennes
    2003-2011      :      DirecteurdesEtudes en Formation Continue
                                   Licence Professionnelle CMAO et DUT Génie Mécanique et Productique.
    Depuis 2008   :      Chargé de Mission Recherche Transfert Innovation - IUT Valenciennes.
  1. Zinc oxide nano-structures for photovoltaic applications
    EL ZEIN B., DOGHECHE E. ISBN 978-3-659-44003-8  LAP Lambert Academic Publishing (2013) 296 pages
  • Guided wave techniques for optical characterization of lead based ferroelectrics
    DOGHECHE E., LANSIAUX X., REMIENS D.  in Recent research developments in piezoelectric materials for macro/micro systems, Remiens D. (Ed)
    ISBN 81-271-0020-X Research Signpost, Kerala, India (2003) 211-235
65 publications parues dans des revues internationales, 2 brevets,
47 communications, 10 séminaires invités.
  1. Experimental demonstration and observation of a plasmon wave occuring at a GaAs-Au-GaN interface , STOLZ A., TCHERNYCHEVA M., TILMANT P., DOGHECHE E., PAVLIDIS D., DECOSTER D.
    Opt. Lett., 38, 14 (2013) 2425-2427  doi: 10.1364/OL.38.002425
  2. Guided-wave electro-optic characterization of BaTiO3 thin films using the prism coupling technique  LEROY F., ROUSSEAU A., PAYAN S., DOGHECHE E., JENKINS D., DECOSTER D., MAGLIONE M.
    Opt. Lett., 38, 7 (2013) 1037-1039  doi: 10.1364/OL.38.001037
  3. Optical properties of aluminum nitride thin films grown by direct-current magnetron sputtering close to epitaxy  STOLZ A., SOLTANI A., ABDALLAH B., CHARRIER J., DERESMES D., JOUAN P.Y., DJOUADI M.A., DOGHECHE E., DE JAEGER J.C.  Thin Solid Films, 534 (2013) 442-445 doi: 10.1016/j.tsf.2013.01.086
  4. Structural and photoluminescence studies of highly crystalline un-annealed ZnO nanorods arrays synthesized by hydrothermal technique GOKARNA A., KIM J.H., LEROY F., PATRIARCHE G., ROUSSEL P., BOUGRIOUA Z., RODRIGUEZ C., DOGHECHE E., CHO Y.H. J. Lumines., 144 (2013) 234-240 doi: 10.1016/j.jlumin.2013.07.031
  5. Surface plasmon modulation induced by a direct-current electric field into gallium nitride thin film grown on Si(111) substrate STOLZ A., KO S.M., PATRIARCHE G., DOGHECHE E., CHO Y.H., DECOSTER D. Appl. Phys. Lett., 102, 2 (2013) 021905, 3 pages doi: 10.1063/1.4776671
  6. Gallium nitride based plasmonic multilayer operating at 1.55µm STOLZ A.,, CONSIDINE L., FACI S., DOGHECHE E., TRIPON-CANSELIET C., LOISEAUX B., PAVLIDIS D., DECOSTER D., CHAZELAS J.  Opt. Lett., 37, 15 (2012) 3039-3041 doi: 10.1364/OL.37.003039
  7. Investigation of indium nitride for micro-nanotechnology GOKARNA A., LAMPIN J.F., VIGNAUD D., DOGHECHE E., DECOSTER D., RUFFENACH S., BRIOT O., MORET M.
    Int. J. Nanotechnol., 9 , 10-12 (2012) 900-906 doi: 10.1504/IJNT.2012.049454
  8. Properties of InxGa1-xN films in terahertz range GAUTHIER-BRUN A., TENG J.H., DOGHECHE E., LIU W., GOKARNA A., TONOUCHI M., CHUA S.J., DECOSTER D.
    Appl. Phys. Lett., 100, 7 (2012) 071913-1-5 doi: 10.1063/1.3684836
  9. Effect of varying pore size of AAO films on refractive index and birefringence measured by prism coupling technique GONG S.H., STOLZ A., MYEONG G.H., DOGHECHE E., GOKARNA A., RYU S.W., DECOSTER D., CHO Y.H. Opt. Lett., 36, 21 (2011) 4272-4274 doi: 10.1364/OL.36.004272
  10. Optical waveguide loss minimized into gallium nitride based structures grown by metal organic vapor phase epitaxy STOLZ A., CHO E., DOGHECHE E., ANDROUSSI Y., TROADEC D., PAVLIDIS D., DECOSTER D.  Appl. Phys. Lett., 98, 16 (2011) 161903-1-3 doi: 10.1063/1.3582055
  11. Structural, ferroelectric and dielectric properties of In2O3:Sn (ITO) on PbZr0.53 Ti 0.47O3 (PZT)/Pt and annealing effect KERKACHE L., LAYADI A., DOGHECHE E., REMIENS D.
    J. Alloy. Compd., 509, 20 (2011) 6072-6076 doi: 10.1016/j.jallcom.2011.03.022
  12. Development of a new generation of active AFM tools for applications in liquids ROLLIER A.S., JENKINS D.F.L., DOGHECHE E., LEGRAND B., FAUCHER M., BUCHAILLOT L.
    J. Micromech. Microeng., 20, 8 (2010) 085010-1-11doi: 10.1088/0960-1317/20/8/085010
  13. Fabrication and investigation of 1D and 2D structures in LiNbO3 thin films by pulsed laser ablation MERICHE F., BOUDRIOUA A., KREMER R., DOGHECHE E., NEISS-CLAUSS E., MOURAS R., FISCHER A., BEGHOUL M.R., FOGARASSY E., BOUTAOUI N. Opt. Mater., 32, 11 (2010) 1427-1434 doi: 10.1016/j.optmat.2010.05.010
  14. Growth and structure characterization of epitaxial Bi2Sr2Co2Oy thermoelectric thin films on LaAlO3 (001) WANG S., HE L., DOGHECHE E., CHEN J., WANG J., CHEN M., YU W., FU G.
    Thin Solid Films, 518, 23 (2010) 6829-6832 doi: 10.1016/j.tsf.2010.06.060
  15. Optical and microstructural properties versus indium content in InxGa1-xN films grown by metal organic chemical vapor deposition GOKARNA A., GAUTHIER-BRUN A., LIU W., ANDROUSSI Y., DUMONT E., DOGHECHE E., TENG J.H., CHUA S.J., DECOSTER D. Appl. Phys. Lett., 96, 19 (2010) 191909-1-3 doi: 10.1063/1.3425761
  16. High thermally induced index variations with short response time in InP/GaInAsP/InP waveguide Schottky diodes SAADSAOUD N., ZEGAOUI M., DECOSTER D., DOGHECHE E., WALLART X., CHAZELAS J. Electron. Lett., 45, 15 (2009) 802-803 doi: 10.1049/el.2009.0696
  17. High responsivity GaNAsSb p-i-n photodetectors at 1.3 µm grown by radio-frequency nitrogen plasma-assisted molecular beam epitaxy TAN K.H., YOON S.F., LOKE W.K., WICAKSONO S., NG T.K., LEW K.L., STOEHR A., FEDDERWITZ S., WEISS M., JAEGER D., SAADSAOUD N., DOGHECHE E., DECOSTER D., CHAZELAS J. Opt. Express, 16, 11 (2008) 7720-7725 doi: 10.1364/OE.16.007720